首页 > 商品目录 > > > > IRF1404ZPBF代替型号比较

IRF1404ZPBF  与  IPP041N04N G  区别

型号 IRF1404ZPBF IPP041N04N G
唯样编号 A-IRF1404ZPBF A-IPP041N04N G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 40 V 200 W 100 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.7mΩ@75A,10V 4.1mΩ
零件号别名 - IPP041N04NGHKSA1 IPP041N04NGXKSA1 SP000680790
上升时间 - 3.8 ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 190A 80A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 4.8 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF @ 25V -
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 94W
典型关闭延迟时间 - 23 ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4340pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 16ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 150nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1404ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
IPP039N04L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP039N04LGXKSA1_10mm TO-220-3

暂无价格 500 对比
IPP041N04NGXKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP041N04N G_TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP100N04S204AKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
PSMN8R0-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN8R0-40PS_SOT78

¥8.3907 

阶梯数 价格
20: ¥8.3907
50: ¥6.8776
0 对比
IRF1404Z Infineon  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售